1 шт. HMC8038 высокая изоляция, Silicon SPDT, светоотражающий переключатель, 0,1 ГГц до 6,0 ГГц

Описание

1 шт. HMC8038 High Isolation, Silicon SPDT, Non-светоотражающий переключатель, 0,1 ГГц до 6,0 ГГц

Во-первых, параметры и характеристики чипа

HMC8038 является высокой изоляцией, не отражающей, 0,1 ГГц до 6,0 GH, однополюсный, двойной-бросок (SPDT) коммутатор чип в лидере, корпус для монтажа на поверхность. Идеально подходит для приложений сотовой инфраструктуры, коммутатор достигает 62 дБ изоляции до 4,0 ГГц, 0,8 дБ низкая вставка вставки до 4,0 ГГц, и 60 dBm вход третьего заказ Точка перехвата. Он обладает отличной мощностью обработки мощности до 6,0 ГГц и обеспечивает входную мощность (VDD = 5 В) для 0,1 дБ compression point (P0.1dB) 35 dBm. На микросхеме микросхем используется одиночное положительное напряжение питания от 3,3 В до 5 В и одиночное положительный контроль напряжения от 0 В 1,8 В/3,3 В/5,0 В при очень низком DC. Включение ввода (RU) установлено в логику высокого, чтобы разместить коммутатор во всех отключенных государствах, где RFC светоотражающий.

Все булавки устройств HMC8038 являются защищенными ОУР, включая РЧ-интерфейсы, и выдерживает 4 кВ HMB и 1,25 кв МЧР. HMC8038 обеспечивает быструю коммутацию и разрешение RF на время работы 150 ns и 170 ns, соответственно. Устройство доступно в соответствии с RoHS-совместимым, компактным 4 мм × 4 мм LFCSP посылка.

1, неотражающий 50 6 8 дизайн

2, высокая изоляция: 60 дБ (типичная)

3. Низкая потеря вставки: 0,8 дБ (типично)

4, высокая мощность обработки

34 dBm (через путь)

29 dBm (прекращенный путь)

5, высокая линейность

0,1 дБ сжатие (P0.1dB): 35 dBm (типично)

Введите точку перехвата третьего заказ (IP3): 60 dBm (Типичный)

6, ОУР рейтинг

4 кВ модель человеческого тела (HBM), класс 3A

1,25 кв зарядное устройство модели (МЧР)