Описание
Прибор для проверки транзистора
По сравнению с M8 версия добавляет следующие функции:
1. Измерение ESR (Исходное значение не может измеряться онлайн)
2 серии измерения сопротивления
3 сопротивление и индуктивность индуктора
4 измерения низкого сопротивления (0,5 Европа больше)
5 увеличение гуманный графика
6 Показывает Улучшенный формат измерения емкости
Параметр
Измерение емкости: 100 пФ-10000 мкФ
Измерение сопротивления: 0,5 Ω-20 МОм (обычные резисторы, регулируемое сопротивление и сопротивление серии)
Измерение индуктивности: 0,1 mH-10 ч
Протестируйте и определите все Транзисторы: биполярные (NPN, PNP), FET, MOSFET (n-канал, p-канал, расширенный режим и модульный MOSFET), Тиристоры, индукторы, SCR и двунаправленный штырь. Испытательный и идентификационный штырь и диоды напряжения, двойной диод, диоды варактора, Диод Зенера (тестовое напряжение до 5 В) и светодиодный.
Требования к питанию: 8-12 В
Тест и определение всех транзисторов: Биполярный (NPN, PNP), FET, MOSFET (N-channel, P-channel, усовершенствованный режим и модульный MOSFET), Тиристоры, индукторы сопротивления, SCR и двунаправленный цитированные ноги.
Испытательный и идентификационный штырь и диоды напряжения, двойной диод, диоды варактора, Диод Зенера (тестовое напряжение до 5 В) и светодиодный.
Требования к питанию: 8-12 В
Основные функции:
* Автоматическое обнаружение NPN и транзистор типа P-N-P, автоматически обнаруживает n-канал и p-канальный Тип полевой транзистор (MOSFET), авто-зондические Диоды (включая биполярные диоды), автоматические Тиристоры обнаружения, транзисторы автоматического обнаружения, автоматического обнаружения резистора и конденсатора (емкость и сопротивление).
* Обнаружение коэффициента усиления и транзистора база-излучатель проводимости переднего напряжения
* Автоматическое обнаружение и тестовый элемент штыря (например: транзистор B, C, E; FET G, D, S; Диод K, A и т. д.)
* Тест FET (MOSFET) пороговое напряжение ворот (включение напряжения) и емкость ворот,
* Обнаружение транзисторов и транзисторов с полевым эффектом (MOSFET трубка) Диод внутренней защиты (ЖК-значок)
* Тестовые значения отображаются на ЖК-экране (2*16 символов)
* Время тестирования деталей: 2 секунды (в дополнение к большому конденсатору)
* Компонент iconified дисплей и удобный дисплей, значительно повышает эффективность чтения
* Управление одной кнопкой, автоматическое отключение
Примечание:Дисплей не освещенная контржурным светом, пользователь может заменить подсветка, для подавления массовых беспорядков (Стандартный LCD1602 Интерфейс).
100 к Регулируемое сопротивление

Батарея напряжения

Транзистор


1000 мкФ конденсатор с алюминиевой крышкой

MOS прибор

39 Ом резистор

Двунаправленный диод

SCR

Диод

Двойной диоды для подавления переходных скачков напряжения

1 м сопротивление

10 ohm Резистор

Два резисторы в серии

100nf конденсатор с алюминиевой крышкой
330pf конденсатор с алюминиевой крышкой

Индуктивность

Индуктивность

Характеристики
- Бренд
- XIN NUO QI
- Индивидуальное изготовление
- Да
- Test4
- 2
- Test1
- 1
- Test2
- 2
- Номер модели
- INDUCTOR









