В + вход положительный, вход отрицательный

Выход + Положительный выход, Выход Отрицательный

Образец для сравнения теста:
Вход 3 V выход 12 V 0.4A 4,8 W
Вход 5 V выход 12 V 0.8A 9,6 W
Вход 7,4 V выход 12 V 1.5A 18 W
Вход 12 V Выход 15 V 2A 30 W
Вход 12 V Выход 16 V 2A 32 W
Вход 12 V Выход 18 V 1.6A 28,8 W
Вход 12 V выход 19 V 1.5A 28,5 W
Вход 12 V Выход 24 V 1 A 24 W

Вин * Iin * эффективность = выход * Iout

Vin: Вход Напряжение
Иин: входной ток
Vout: Выходное напряжение
Iout: выходной ток

DSN6009 4A-Высокопроизводительный Модуль повышенного импульсного тока (BOOST). Модуль использует второе поколение Высокочастотный импульсный источник технологии XL6009E1 основной чип выше, чем у первого поколения технологии LM2577. XL6009 boost модуль по более низкой цене, высокая производительность, LM2577 модуль составляет около должны быть устранены.

Широкое входное напряжение 3 В ~ 32 В, оптимальный диапазон рабочего напряжения 5 ~ 32 В;
Широкое выходное напряжение 5 В ~ 35 В;
Built-4A эффективный MOSFET переключатели позволяют эффективность до 94%; (LM2577 ток 3A)
Регулируемый понижающий преобразователь частоты 400 кГц, может использовать небольшие конденсаторы фильтра, которые могут достичь очень хороших результатов, рябь меньше и меньше. (LM2577 частоты только 50 кГц)
Технические параметры:

Модель Параметры
DSN6009 boost модуль
Свойства модуля
Неизолированный boost (BOOST)
Для выправления изгибов
Non-синхронная ректификация
Входной диапазон 3 V ~ 32 V
Выходной диапазон 5 V ~ 35 V
Вход ток 4A (макс.), а также на холостом ходу, оборот в минуту (18mA (5 V Вход, 8 V выход, на холостом ходу, оборот в минуту (меньше, чем 18mA. Чем выше напряжение, тем больше ток нагрузки.)
Эффективность преобразования <94% (чем больше давление, тем ниже будет КПД)
Частота переключений 400 кГц
Выходная пульсация 50мв (чем выше напряжение, тем больше ток, тем больше пульсация)
Регулирование нагрузки 0.5%
Напряжение регулирования 0.5%
Рабочая температура-40 ~ + 85
Размеры 43 мм * 21 мм * 14 мм (Д * Ш * В)