| Категории | Дискретная полупроводниковые транзисторы |
| Транзисторы-биполярные (BJT)-одиночные |
| Производитель | 0N полупроводник |
| Серия | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Состояние части | Устаревших |
| ТРАНЗИСТОР Тип | Силовые транзисторы NPN |
| Коллектор тока (Ic) (макс) | 600mA |
| Напряжение-коллектор излучатель (макс.) | 40 V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 1 V @ 50mA, 500mA |
| Токосборщик тока (макс) | 10nA (ICBO) |
| Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, алюминиевая крышка, 10В |
| Мощность-макс | 625 МВт |
| Частота-Переход | 300 МГц |
| Операционной Температура | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Монтажный Тип | Сквозное отверстие |
| Посылка/Чехол | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (формируемые провода) |
| Информация о поставщике устройство в упаковке | TO-92-3 |