Описание


Фотоэлектрический датчик интегрирует оптическую технологию, технологии полупроводниковой электроники и модемную технологию. Он имеет характеристики высокой чувствительности, быстрого отклика, сильные антифоновые световые помехи и электромагнитные гармонические помехи, и имеет преимущества компактной структуры, красивый внешний вид, простая отладочная и точная позиционирование.
Действия Инфракрасный фотоэлектрический выключатель фиксируют фотоэлектрический выключатель, так что фотоэлектрический выключатель находится на тестовом объекте. Регулировка чувствительности твист может регулировать расстояние обнаружения фотоэлектрического переключателя. Если твист чувствительности поднимается от низкого до высокого, расстояние обнаружения может быть увеличено от 0 мм до максимального расстояния обнаружения модели.
Метод проверки: диффузное отражение
Расстояние обнаружения: 0,2-2 м (вперед)
Рабочее напряжение: DC10-30V пульсация <10%
Хроматография источника света: инфракрасный луч
Время отклика: 2 мс
Режим выхода: яркая и темная работа опционально (общее реле)
Выходное напряжение: высокий уровень Vs-(<1,5) низкий уровень (<1,2)
Ток при нагрузке: 200 мА (максимум)
Температура окружающей среды:-15-65 градусов
Выводные провода: 4-х ядерный оболочкой экранированный кабель длиной 2 м
Размер продукта: общая длина L * ширина W * высота H = 65*42*18 мм



'
Характеристики
- Материалы для самостоятельного изготовления
- Электрический










