Исследования в форме лепестков с 4-дюймовым Prime вафли Кремниевая Пластина для электронно-микроскопические пленка дифракции 11N один с украшением в виде кристаллов
  • Исследования в форме лепестков с 4-дюймовым Prime вафли Кремниевая Пластина для электронно-микроскопические пленка дифракции 11N один с украшением в виде кристаллов
  • Исследования в форме лепестков с 4-дюймовым Prime вафли Кремниевая Пластина для электронно-микроскопические пленка дифракции 11N один с украшением в виде кристаллов
  • Исследования в форме лепестков с 4-дюймовым Prime вафли Кремниевая Пластина для электронно-микроскопические пленка дифракции 11N один с украшением в виде кристаллов
  • Исследования в форме лепестков с 4-дюймовым Prime вафли Кремниевая Пластина для электронно-микроскопические пленка дифракции 11N один с украшением в виде кристаллов
  • Исследования в форме лепестков с 4-дюймовым Prime вафли Кремниевая Пластина для электронно-микроскопические пленка дифракции 11N один с украшением в виде кристаллов

Исследования в форме лепестков с 4-дюймовым Prime вафли Кремниевая Пластина для электронно-микроскопические пленка дифракции 11N один с украшением в виде кристаллов

1 387 руб.

Описание

Тип параметра PrimeLevel я техническими показателями
Размер продукта4 дюйма на одной стороне полированная Кремниевая Пластина
Метод ростаCZ одиночный кристалл (CZ)
Обработка поверхностиНа одной стороне полировка
Диаметр толерантность100,2 ±0. 3 мм
Допинг ТипДопант (NType-doped фосфор, мышьяк и антимоний) (PBoron doped)
С украшением в виде кристаллов ориентации 100111 110
ResistivityΩ0,001-100
ПланенессМДП <3um
КороблениеTTV <10um
Степень изгибаЛук <10um
Полировка шероховатостьРА <0.5nm
ЗернистостьPewaferr <10 (Для размера>0.3um)
ТолщинаUm 300-525um
Цель Носители образцов для процесса isosynchrotron излученияLPCVD/PEСердечно-сосудистых заболеванийПокрытие как подложка, образцы, выращенные магнетронным распылением,РСА、SEM, AFM, инфракрасная спектральная флуоресцентная спектроскопия и другой анализ и измерение субстратов, база, выращенная молекулярным лучом Epitaxy,XРентгеновский анализ кристаллических полупроводников и многих других научных применений.

Характеристики

Тип
Части Кондиционера