JK9610A MOS-тестер

Описание

JK9610A MOS-тестер

Резюме

Тип JK9610A мощность fet-тестер является новым всем цифровым дисплеем типа мощный FET параметр тестовое устройство, используется для Номинальный ток около 2-85A, мощность в пределах 300 Вт N и P Тренч траншеи MOSFET основные параметры теста. Он может точно измерить напряжение пробоя VDSS, входное Напряжение VGS (th) и усиливающие характерные параметры транпроводимости Gfs, особенно тестовый ток транпроводимости Gfs может достигать 50A, метод тестирования импульсного тока, даже в тесте по току, не повредит испытанное устройство, Параметры могут быть более согласованными на FET в текущем состоянии теста (сопряжение); измерительные приборы используется для параметр IGBT эквивалентный текущий класс; электронные компоненты тестовое устройство или инструмент с отличной производительностью, тестовое напряжение, когда ток утечки 1mA, 250uA, 25uA блок три можно выбрать. Инструмент используется в основном в области транзистора силового поля и IGBT, соответствия параметров и тестирования других электронных компонентов. Прибор разделен на два типа: N channel guide tester и P channel guide tester. Инструмент имеет преимущества красивого внешнего вида, стабильной работы, точного измерения, простой работы и безопасного и удобного использования.

Во-вторых, основные технические характеристики

1, напряжение пробоя диапазона измерения VDSS: 0-1999 в, Точность: менее 2.5%.

2, IDSS можно разделить на три варианта: 1mA, 250uA, 25uA.

3, диапазон измерения напряжения VGS (th) открытой сетки: 0-10 В. Точность: менее 5%.

4, Gfs transconductance тестовый ток Idm: не менее 1-50 A непрерывно регулируемая точность: менее 10%.

5, Gfs диапазон проверки транпроводимости: 1-100.

Три, основная функция тестирования

1, пороговое напряжение МОП-транзистора, пробоя напряжения VDSS VGS (th), тест транпроводимости Gfs.

Напряжение пробоя V 2, IGBT (BR) ces, VGE (th) пороговое напряжение ворот, транпроводность испытания Gfs.

3, силовой полевой транзистор и IGBT в 50A при любом тестовом состоянии консистенции, используется для соответствия.

4, для других более высоких токов и силовых полевой транзистор и тест IGBT: (см. ниже).

5, все виды транзисторов, диодов, тест напряжения zener.

6, тест напряжения варистора.