MW7IC18100N MW7IC18100NR1 MW71C18100N GSM/GSM edge rf LDMOS Wideband Встроенный усилитель мощности, 1990 МГц, 100 Вт, 28 в
  • MW7IC18100N MW7IC18100NR1 MW71C18100N GSM/GSM edge rf LDMOS Wideband Встроенный усилитель мощности, 1990 МГц, 100 Вт, 28 в
  • MW7IC18100N MW7IC18100NR1 MW71C18100N GSM/GSM edge rf LDMOS Wideband Встроенный усилитель мощности, 1990 МГц, 100 Вт, 28 в

MW7IC18100N MW7IC18100NR1 MW71C18100N GSM/GSM edge rf LDMOS Wideband Встроенный усилитель мощности, 1990 МГц, 100 Вт, 28 в

1 622 руб.

Описание

Рекламные модели продукта наборы для вышивки доступны для радиочастотных устройств питания.

28 в просмотр параметрических MD7IC2755N WiMAX rf LDMOS широкополосный Встроенный усилитель мощности, 2500-2700 МГц, 10 Вт Avg., 28 V вид parametricsMW7IC18100NGSM/GSM edge rf LDMOS Wideband интегрированная мощность

Wideband интегральная схема MW7IC18100N разработана с учетом микросхем, что позволяет использовать ее с 1805 до 2050 МГц.

1990 МГц, 100 Вт, 28 в GSM/GSM edge rf LDMOS широкополосные Интегральные усилители мощности

Записанное содержимое больше не обновляется и доступно только для справочной информации. MW7IC18100NR1, MW7IC18100GNR1 и MW7IC18100NBR1 широкополосные интегральные схемы разработаны с помощью микросхем, которые позволяют использовать их с 1805 до 2050 МГц. Эта многоступенчатая структура рассчитана на 26-32 вольт и охватывает все стандартные форматы модуляции сотовой базовой станции, включая gsm edge и CDMA.

MW7IC18100N MW7IC18100NR1 MW71C18100N GSM/GSM edge rf LDMOS Wideband Встроенный усилитель мощности, 1990 МГц, 100 Вт, 28 в

MW7IC18100N MW7IC18100NR1 MW71C18100N GSM/GSM edge rf LDMOS Wideband Встроенный усилитель мощности, 1990 МГц, 100 Вт, 28 в

1. Мы поставляем различные электронные компоненты и приветствуем ваш запрос
2. В магазине имеется единый профессионал.
2. Восстановление электронных компонентов
4. Искренне надеемся на ваше сотрудничество!

Характеристики

Номер модели
MW7IC18100N
Тип аксессуара
Батарея Аксессуары