Односторонняя полировка/экспериментальные исследования/Высокая чистота небольшой квадратный кусок SEM один кристалл кремния Вафля

Монокристаллическая Кремниевая пластина (односторонняя полировка)

Особенности: Кремниевая однокристальная подложка высокой чистоты si, тип N/P опционально, сопротивление 0,0001-100 Ом, опционально

Режим роста: прямая тяга

Кристаллическая направленность: [111]/[100]

Плоскость: <1 микрон (измеренная общая Боевая страница)

Применение: 1. PVD/CVD покрытие как подложка

2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентный спектральный анализ тест

3. Синхротронное излучение тест-носитель образца

4. Молекулярный пучок эпитаксиальный рост подложки

5. Полупроводниковый процесс литографии и т. Д.

Примечание: другие размеры могут быть настроены и могут быть выставлены счета.