PPD120E сварочная платформа низкая Температура снос A8 A9 Процессор чип NAND паяльная платформы для iPhone 6 6s материнская плата
  • PPD120E сварочная платформа низкая Температура снос A8 A9 Процессор чип NAND паяльная платформы для iPhone 6 6s материнская плата
  • PPD120E сварочная платформа низкая Температура снос A8 A9 Процессор чип NAND паяльная платформы для iPhone 6 6s материнская плата
  • PPD120E сварочная платформа низкая Температура снос A8 A9 Процессор чип NAND паяльная платформы для iPhone 6 6s материнская плата
  • PPD120E сварочная платформа низкая Температура снос A8 A9 Процессор чип NAND паяльная платформы для iPhone 6 6s материнская плата
  • PPD120E сварочная платформа низкая Температура снос A8 A9 Процессор чип NAND паяльная платформы для iPhone 6 6s материнская плата
  • PPD120E сварочная платформа низкая Температура снос A8 A9 Процессор чип NAND паяльная платформы для iPhone 6 6s материнская плата

PPD120E сварочная платформа низкая Температура снос A8 A9 Процессор чип NAND паяльная платформы для iPhone 6 6s материнская плата

7 575 руб.

Описание

PPD120E сварочная платформа низкая Температура снос A8 A9 Процессор чип NAND паяльная платформы для iPhone 6 6s материнская плата
Особенности:
1. небольшой объем, но мощные функции, двойные клавиши desgn
2. Высококачественный нагревательный элемент, Высокая Температурная чувствительность.
3. Два вида температурной модели (обезжиривание, фаренгейт℉)
4. дополнит valus через микрокомпьютерную температуру. погрешность менее ± 5 ℃.
5. высокая термостойкость, высокая изоляция, Мягкий сенсорный кабель питания.
6. ЖК-дисплей. Содержание четкое на первый взгляд.
Низкая температура A8/A9/Процессор настройка температуры воздуха пистолет без воздуха пистолет
1. Снимите щит регулирования температуры 180-200 ℃.
2. В дополнение к температуре клея ЦП до 200-180 ℃
3. Снимите A8/A9/Процессор температуру до 240-230 ℃
4. В дополнение к температуре клея до 200-180 ℃
5. Температура олова регулируется to200-180 ℃
6. сварки A8/A9/Процессор температуру до 210-190 ℃
Технические характеристики изделия
Модель: 120E
Диапазон температур: 800-300 ℃ (176-572 ℉)
Экзотермический Материал: A1326
Сопротивления заземления по уровню поверхности: <2Ω
Наземный потенциал: <2МВ
Размер: 165 (Д) * 104 (Ш) * 45 (В) мм
Источник питания: 220 В/50 Гц 110 В/60 Гц
Посылка:
1 *PPD120E
PPD120E сварочная платформа низкая Температура снос A8 A9 Процессор чип NAND паяльная платформы для iPhone 6 6s материнская платаPPD120E сварочная платформа низкая Температура снос A8 A9 Процессор чип NAND паяльная платформы для iPhone 6 6s материнская платаPPD120E сварочная платформа низкая Температура снос A8 A9 Процессор чип NAND паяльная платформы для iPhone 6 6s материнская платаPPD120E сварочная платформа низкая Температура снос A8 A9 Процессор чип NAND паяльная платформы для iPhone 6 6s материнская платаPPD120E сварочная платформа низкая Температура снос A8 A9 Процессор чип NAND паяльная платформы для iPhone 6 6s материнская платаPPD120E сварочная платформа низкая Температура снос A8 A9 Процессор чип NAND паяльная платформы для iPhone 6 6s материнская плата

Характеристики

Габаритные размеры
168*80mm
Упаковка
Ящик
Номер модели
PPD120E
Материалы для самостоятельного изготовления
Электрический
Бренд
LDKGJJS
Применение
Phone Repair
Тип
repair tool for iPone X
Reballing Stencil soldering station
for iphone A8 A9
Type
Combination