Описание
PTQ-8Транзисторный интегрированный Быстрый скрининговый стол
Испытание температуры комнатной температуры для полупроводниковых устройств,Измерение высоких температур(Без дополнительных печь)Быстрый выбор тепловых чувствительных параметров для замены полной мощности старого уточнения трех функций, и можно выбирать и комбинировать использование. Быстрая проверка технологии транзисторных тепловых параметров используется в короткие сроки(Обычно несколько секунд)Способ применения сверхустойчивой государственной номинальной мощности к транзистору, таким образом, Температура соединения транзистора близка к или достигает максимально допустимой температуры соединенияTjmБыстрый поиск транзисторных температурных параметровVbe,Iceo(ИлиIcbo) ИHFE,До и после добавления мощности и его скорости измененияДельтаVbe,IceohИДельтаHfe%, И в качестве параметра сбоя, устранение превышения стандартного транзистора, для достижения ранней неисправности устройства удаляются, улучшают качество и надежность продукции группы, В то же время, Ультра стабильная Номинальная мощность, введенная имитирующей испытательную трубу, может показаться фактическим использованием напряжения напряжение и текущий стресс, быть подвергнутым оценке воздействия в Витро способность. Метод быстрого скрининга может не только заменить постоянный старение питания постоянного тока, быстро устранить потенциальные дефекты устройства, но также более научных и разумных, и был перечислен в качестве отраслевого стандартаSJ/T10415-93И военного стандартаGJB128A-97.
ПротивПризовой-8Быстрый скрининг Тайваньского транзистора, интегрированного в оригинальный инструмент быстрого контроля, значительно улучшился, не только может сделать термочувствительный параметр транзистора в соответствии с положениями быстрого скрининга, и может использоваться в качестве обычных Тестовых Инструментов постоянного тока, имеет диапазон и точность испытаний достаточно, До тех пор, пока звонок на устройство под тестовую модель, сможет войти в быстрое и непрерывное обнаружение. Когда устройство Протестировано, он имеет возможность автоматической защиты из-за проходящего через, два разбивка и тепловая разбивка.
-Основные функции
LiМощность постоянного тока может быть заменена старой переработкой, только процесс проверки устройства (включая тестирование) только5Секунд.
LiМожет Тесты экранированияPNP,NPNБольшие, средние и небольшие Силовые транзисторы. Китайский интерфейс-интерфейс, прост в эксплуатации.
LiМожет быть одноразовое Автоматическое тестирование, скринингVbe,Vbc,HFE1,HFE2,Iceo,Icbo,Iebo,V(BR)Генеральный директор,V(Brcbo,V(BR)Ebo,Vces,VbesНормальная температура, высокая температура и скорость изменения или скорости. И может выбрать все или часть параметров; если только выбрать нормальные температурные параметры, каждое устройство1Более секунд.HFE1,HFE2Может автоматически разделить10Файл.
LiМожно произвольно установить модель устройства, условия испытания и критерии, и хранить в системе, через браузер изменить, звоните.
LiРезультаты испытаний на большой экран122x92 ммВ то же время отобразить и определить общий объем накопленных испытаний; автоматические сигнальные устройства, превышающие стандарт, и индикацию аварийной информации на ЖК-экране.
LiРезультаты испытаний каждого параметра можно получить по статистике максимального, минимального, среднего.
LiТип устройства, время испытания, условия испытания, критерии отказа, результаты испытаний и номер устройства, можно напечатать на выходе принтера, или через компьютерный последовательный порт для защиты компьютера. Автоматическая идентификация над стандартным устройством.
LiПри тестировании только модель устройства может быть выбрана для непрерывного обнаружения.
-Основные технические индекс
| Название параметра | Тест диапазон | Состояние тест |
| Vbe,Vbc | 0.1 В~1 В | 1mA~1A |
| HFE1,HFE2 | 5~500Times (настраиваемый тест Darlington) | Vce:1 В~25 В,IC:1mA~6A |
| Iceo,Icbo,Iebo | 0.1uA~10mA | 10 В~1000 В (veb):1 В~100 В) |
| V (БР) генеральный директор,В (БР) cbo,V (БР) эбо | 10 В~1000 В (в (br) Ebo):5 В~100 В) | 50uA~10mA |
| Vces,Vbes | 0.1 В~3 В | IC:10mA~6A,IB:1mA~1A |
НагреваPCMДиапазон:Vce:5 В~25 ВПротивIC:0.1A~6AПротивВремя нагреваT0~10 s

Характеристики
- Материалы для самостоятельного изготовления
- Электрический
- Application scope
- power
- Model
- PTQ-8









