Описание
Технические характеристики:
Один кристалл,Двухсторонняя полировка, 2,3, 4 дюйма
Материал:
Кремний высокой чистоты Si один кристаллическая подложка. Н/п опционально.
Использует:
1. PVD/CVD покрытие подложка
2. Используется в качестве XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и другие аналитические тестовые подложки
3. экспериментальный носитель образцов синхротронного излучения
4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания
5. Процесс литографии полупроводников и т. д.









Характеристики
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Стандартный
- ANSI
- Материал
- Wafer













