Описание
Монокристаллическая Кремниевая пластина (двухсторонняя полировка)
Особенности: Высокоочищенная Кремниевая Си-одинарная кристаллическая подложка, N/P type опционально, сопротивление 0,0001-100 Ом, опционально
Режим роста: прямой тянуть
Кристальная Ориентация: [111]/[100]/[110]
Плоскость: <1 микрон (измеренная общая warpage)
Шероховатость поверхности: около 5 ангстромов (измеренная Поверхностная топография)
Применение: 1. PVD/CVD покрытие как подложка
2. используется в качестве XRD (X-ray diffraction analysis), SEM (сканирующий электронный микроскоп), спектральный анализ спектрального анализа
Подложка, АФМ (атомный силовый микроскоп)
3. Synchrotron радиационный тест-носитель
4. Молекулярный луч эпитаксиальный рост подложки
5. Процесс полупроводниковой литографии и т. д.
Примечание: другие размеры могут быть настроены и могут быть выставлены.
Характеристики
- Стандартный
- GB
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Габаритные размеры
- Customizable
- Номер модели
- Customizable
- Материал
- Silicon
Сопутствующие товары
